Lacke für e-Beam Photoresist
AZ nLOF 2070 e-beam-grade
Negativer Photoresist für e-beam und i-line Belichtung
Schichtdicke: 0.4 ... 0.6 μm
Empfindlichkeit: i-line (310 - 380 nm), e-beam Belichtung
Gebindegrößen: 250 ml, 500 ml, 1000 ml, 2.5 L, und 5 L
Generelle Informationen
Dieser Resist ist gedacht für die Anwendung als e-beam Resist, ist chemisch verstärkt und negativ (quervernetzend). Er kann auch mit hybrid mit e-baem und daraufhin mit i-line belichtet werden oder anders herum.
Der dazu passende Entwickler
AZ® 826 MIF Developer oder AZ® 726 MIF Developer
Mehr Informationen dazu:Photoresist AZ nLof 2070 e-beam-grade.pdf
®AZ, das AZ Logo, BARLi , Aquatar und Kallista sind eingetragene Markenzeichen der Firma AZ Electronic Materials.
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