Fotoresiste, Hilfsstoffe, Säuren/Basen, Lösungsmittel
und technische Unterstützung
im Bereich Mikrostrukturierung und Lithografie

 

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Fotoresiste
Entwickler
Remover/Stripper
Verdünner/EBR
Haftvermittler
Säuren/Basen
Ätzmischungen
Lösungsmitel
Gelbfolie

Negativresiste, Negative Fotoresiste

 

AZ nLOF 2070 (Tech. Datenblätter als PDF)
AZ 15nXT (Tech. Datenblätter als PDF)
AZ 125nXT (Tech. Datenblätter als PDF)

AZ nLof 2070 Fotoresist
Thermisch stabiler Negativlack für Lift-off

Schichtdicke: 1.5 ... 15 μm (> 20 μm über Mehrfachbelackung möglich)
UV-Empfindlichkeit: i-line (ca. 330 ... 380 nm)
Gebindegrößen: 100 ml, 250 ml, 500 ml, 1.000 ml und 3.78 L (Gallonen)

Generelle Informationen

AZ® nLOF 2000 kennzeichnet eine Familie an Negativlacken, d. h. belichtete Bereiche
bleiben nach dem Entwickeln mit einem in Grenzen einstellbar ausgeprägten Unterschnitt
(negativem Profil) bestehen. Diese Eigenschaft zusammen mit seiner hohen Beständigkeit gegen thermisches Verfließen macht AZ® nLOF 2000 zu einem geeigneten Fotolack für Lift-off sowie generell für alle Prozesse, bei denen das Lackprofil auch bei hohen bis sehr hohen Temperaturen stabil bleiben muss.

Herausragende Eigenschaften
Sehr hohe thermische Beständigkeit: Kein Verfließen quervernetzter Lackschichten
bis über 250°C.
Hohe chemische Beständigkeit: Je nach Prozessführung beständig gegen viele organische Lösemittel und stark alkalische Medien (nicht jedoch für KOH Si-Ätzen!)

Der dazu passende Entwickler
AZ® 826MIF - bei anderen Entwicklern kann eine (unbeabsichtigt) teilweise quervernetzte Lackoberfläche (Streulicht) den Entwicklungsstart verhindern oder verzögern

Strippen / Löslichkeit
NMP oder 10-20 %ige KOH sind zum Entfernen der Fotolackschicht sehr gut geeignet.
Selbst vollständig quervernetzte Schichten werden – je nach der Größe angewandter
Temperaturen – vom Substrat „gepeelt“.

Aceton löst unbelichteten AZ® nLOF, solange er Temperaturen nicht über 170°C ausgesetzt
wurde, relativ gut. Bei höheren Backtemperaturen bewirkt thermisches Quervernetzen der Lackschicht eine starke Abnahme der Löslichkeit. Belichteter und quervernetzter (PEB > 140°C) AZ® nLOF ist in Aceton unlöslich. Sind jedoch substratnahe Lackbereiche aufgrund der begrenzten Eindringtiefe von Licht beim Belichten noch nicht vollständig quervernetzt, kann Aceton dorthin diffundieren und die gesamte Lackschicht abheben.

AZ® 100 Remover ist aus dem gleichen Grund wie Aceton zum Strippen prozessierter Fotolackschichten nur bedingt geeignet.

22 µm AZ® nLOF 2070: Mittels Flutb e l i c h t u n g entwickelter S t r u k t u r e n (oberes Bild) lassen sich auch dicke Lackstrukturen, deren substratnahe Bereiche bei der ersten Belichtung nicht quervernetzt wurden, thermisch beständig machen (Bild oben).

  
Mehr Informationen dazu: Fotoresist AZ nLOF 2070.pdf

 

AZ® 15 nXT Fotoresist - Neuer Negativresist

AZ® 15 nXT ist ein quervernetzender, Kupfer kompatibler Negativlack speziell optimiert für die Galvanik: Exzellente Lackhaftung, kein Unterwachsen der Lackschicht, senkrechte Lackprofile und eine breite Kompatibilität zu nahezu allen Galvanikbädern auch für Kupfer, Nickel und Gold.
Empfindlichkeit: i-line
Entwickler: TMAH-basiert (AZ® 326/726/826 MIF)
Remover: Z. B. mit AZ® Kwik Strip bei 70°C


AZ® 15 nXT Lackstege (Lackschichtdicke 10 μm)

Mehr Informationen dazu: Negativer Fotoresist AZ 15nXT.pdf

 

Neuer Negativeresist - AZ® 125 nXT
AZ® 125 nXT ist ein Negativlack für Schichtdicken bis über 100 µm bei gleichzeitig sehr hoher Flankensteilheit. Seine Quervernetzung und sehr gute Lackhaftung macht ihn in für alle üblichen Galvanik-Anwendungen stabil. Dieser Lack benötigt keinen post exposure bake oder Pausen zwischen den Prozessschritten, so dass sich die Prozessierung sogar noch einfacher als mit Positivlacken gestaltet.

  • 30- 100 µm über Einfachbelackung
  • Wässrig alkalisch entwickelbar (TMAH-basiert, z. B. mit AZ® 326/726/826 MIF)
  • Sehr gute Lackhaftung, kein Unterwachsen der Lackstrukturen
  • Kein post exposure bake, keine Wartezeiten zwischen Prozessschritten notwendig
  • Kompatibel mit vielen Substratmaterialien wie Cu, Au, Ti, NiFe, GaAs, …
  • Geeignet für nahezu alle üblichen Galvanik-Bädern für Cu, Ni, Au, Lötzinn, ...
  • Nasschemisch entfernbar

Mehr Informationen dazu AZ 125 nXT.pdf und Details zur Prozessierung AZ 125 nXT Prozessdetails.pdf

 

 


®AZ, das AZ Logo, BARLi , Aquatar und Kallista sind eingetragene Markenzeichen der Firma AZ Electronic Materials.

Übersicht Fotoresiste
Einheiten und Größen  

Positiv, dünn  
AZ® 111 XFS 
AZ® 1505 
AZ® 1512HS 
AZ® 1514H 
AZ® 1518 
AZ® 6612 
AZ® 6624 
AZ® 6632
AZ® MiR 701
AZ® ECI 3027

Positiv, dick 
AZ® 4533
AZ® 4562 
AZ® 9260 
AZ® 40 XT

 

Negative Resiste 
AZ® nLof 2070
AZ® 15 nXT 
AZ® 125 nXT
 

Image Reversal/Lift-off
AZ® 5214E 
TI 35E 
TI 35ES 
TI xLift  
AZ®nLof 2070
 

Andere Fotoresiste
AZ® 520D 
AZ®4999 
TI Spray 
PL 177 
AZ® Aquatar
AZ® Barli II
 

Andere Resisttypen  
Lacke für Galvanik
Lacke für e-Beam
Schutzlack
Sprühlacke
Leiterplattenlack
Antireflexionsbeschichtung

Technische Datenblätter
Sicherheitsdatenblätter
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