Merck Performance Materials GmbH

AZ 5214-E Photoresist - 3.785 l

AZ® 5214E is a multi functional image reversal resist for lift off application, that can be used as a positive or as a negative resist.
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Produktnummer: 1005214EJP
Hersteller: Merck Performance Materials GmbH
Produktinformationen "AZ 5214-E Photoresist - 3.785 l"

AZ® 5214E

Bildumkehrung Resist für hohe Auflösung

Allgemeine Informationen

Dieses spezielle Fotolack ist für Lift-off-Techniken gedacht, die ein negatives Seitenwandprofil erfordern. Das Umkehrbacken vernetzt die belichteten Resist mäßig und macht die entwickelten Strukturen bis zu ca. 130°C thermisch stabil. Aufgrund der vergleichsweise geringen Schichtdicke von Resist von ~1,4 µm ist das Prozessparameterfenster für einen Unterschnitt eher klein, so dass einige Optimierungen bei der Belichtungsdosis und den Reversal-Bake-Parametern erforderlich sind. Wenn die benötigte Auflösung nicht im sub-µm-Bereich liegt, ist ein dickerer Resist wie der AZ® LNR-003 (nächster Abschnitt) oder der AZ® nLOF 2000 Negativresist eine gute Alternative.

The undercut of AZ® 5214E attained under optimized process parameters.  The undercut of AZ® 5214E attained under optimized process parameters.
Der Unterschnitt von AZ® 5214E wurde mit optimierten Prozessparametern erreicht.

Produkteigenschaften
  • Sehr hohe Auflösung sowohl als Positiv- Resist als auch als Negativlack Resist
  • Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus
  • Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
  • Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
  • h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 405 nm)
  • Resist schichtdickenbereich ca. 1,0 - 1,8 µm
  • Hohe thermische Stabilität, besonders im Umkehrbildmodus
Developer

Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4 Verdünnung (für eine geforderte Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 Verdünnung empfohlen) Developer.
Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:5 verdünnt) ist ebenfalls möglich.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF Developer, normalerweise unverdünnt, oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 ( 3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.

Entferner

Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.

Ausdünnen/Randwulstentfernung

Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.

Weitere Informationen

MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack deutsch

TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch

Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

Chemically amplified: no
Film thickness: 1.0 - 1.8 µm
Film thickness range: medium (1.6 - 5.0µm), thin (< 1.5µm)
High thermal stability: yes
Mode: image reversal, positive
Optimized for: dry etching, lift-off